【嘉德点评】泰科天润发明的碳化硅沟槽型JFET的制作方法，在离子注入时利用掩模版掩盖沟道侧壁，从而能够防止沟道侧壁因离子注入产生损伤和缺陷，减少栅源、栅漏电容，抑制通过沟道侧壁漏电避免形成不可靠的PN 结。
泰科天润是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，主营碳化硅功率器件，包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。
当前，电力传输功率器件主要是基于硅材料，经历了30年的发展，硅材料的物理性能已经发掘殆尽。而碳化硅作为半导体界公认的“一种未来的材料”，有着优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能。
同时，碳化硅具有约10倍于硅的临界电场，同样电压规格的碳化硅器件与硅器件相比较而言，碳化硅器件的漂移层掺杂浓度为硅器件的100倍，碳化硅器件的漂移层厚度仅为硅器件的1/10，碳化硅器件的漂移层导通电阻较硅器件约低3个数量级。
因此，碳化硅单极型器件能够适用于3000V以上的工作条件，碳化硅单极型器件包括肖特基二极管、JFET和MOSFET等。单极型晶体管包括JFET和MOSFET。MOSFET存在着沟道迁移率低和栅氧化物可靠性差的问题。与之相比，JFET不需要栅氧化物，也不存在沟道迁移率降低的问题。
泰科天润早在13年5月20日就申请了一项名为“一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法”的发明专利（申请号：.1），申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司。
根据目前公开的专利，今天将带大家一起来了解一下这项专利技术，首先我们来看看现有技术中存在着哪些问题以及不足吧。
如上图（左）所示，沟槽型JFET的一种制备方法是在通过离子注入形成栅的过程中，不主动对沟道侧壁进行离子注入，采用这样的方式注入的离子束是平行离子束。
但是，由于存在着掩膜对离子束的散射作用以及用于注入的离子束并非绝对地垂直于晶圆表面，离子束往往会不可避免地对沟道侧壁造成不需要的注入，容易引起沟道的损伤和缺陷，使沟道的导通电阻增加。
如上图（右）所示，这种方法的另一个缺点是沟道侧壁靠近源极的附近容易形成不可靠的重掺杂PN结，该不可靠的PN结容易被击穿，从而造成漏电。
采用这种方法的同时，沟道侧壁被注入离子后会带来晶格缺陷、减少沟道宽度，从而使沟道的导通电阻增大。另外，沟道侧壁被离子注入后将使栅极的PN结面积增加，并使栅源电容和栅漏电容增大，导致JFET的开关性能变差。
在N型的SiC衬底710上依次外延生长缓冲层711、漂移层712、沟道层713和帽子层714，如上图所示，这些层都是第一导电类型。随后在帽子层上淀积一层连续的第一掩膜层，然后用光刻和刻蚀的方法去除部分面积的第一掩膜层720，得到掩膜图形。
随后，根据掩膜图形刻蚀沟槽，将形成有掩膜图形的第一掩膜层作为掩膜，将没有被掩膜图形覆盖的帽子层和沟道层刻蚀至漂移层与漂移层之间的界面，形成沟槽和JFET的沟道，并且采用各向同性方法在沟槽底部、沟道侧壁和第一掩膜层上淀积第二掩膜层。
其次，采用各向异性的等离子体法刻蚀去除沟道底部和第一掩膜层上的第二掩膜层，保留沟道侧壁的第二掩膜层，再光刻结终端区域并进行固胶。向沟槽底部暴露的漂移层包括结终端区域进行离子注入，在漂移层中形成离子注入区且在离子注入区注入的离子为与第一导电类型相反的第二导电类型，以使与漂移区形成PN二极管。
接着，去除包括帽子层上的第一掩膜层和沟道侧壁的第二掩膜层的全部剩余掩膜，并进行清洗，在帽子层上、沟道底部和沟道侧壁镀上一层退火保护层，在去除退火保护层后的帽子层上、沟槽底部和沟道侧壁淀积隔离层。
最后，分别在衬底的远离缓冲层的一侧，暴露的帽子层和暴露的离子注入区中形成欧姆接触，使得每一个沟槽中填充绝缘介质至沟槽被填满，并进行平坦化刻蚀，使得第二欧姆接触层露出，然后用光刻和刻蚀的方法去除JFET一端的一个沟槽底部位置处的绝缘介质，使得第四欧姆接触层露出，最后分别在漏极、源极和栅极处淀积互连金属层即可完成。
以上就是泰科天润半导体科技发明的碳化硅沟槽型JFET的制作方法，在离子注入时利用掩模版掩盖沟道侧壁，使得沟道侧壁不被离子注入，从而能够防止沟道侧壁因离子注入产生损伤和缺陷，减少栅的面积减少栅源、栅漏电容，抑制通过沟道侧壁漏电避免形成不可靠的PN结。
深圳市嘉德知识产权服务有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务，在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。（校对/holly）
【嘉德点评】弗拉克托斯持有通信天线技术的早期专利，研发实力已经大不如前，但是其熟悉国际知识产权的运营规则，在技术已经不能突破的状况下，已经慢慢开始转向专利变现的道路，相关技术的企业应当引起注意，提前防范知识产权风险。
（文/甘佳伟）根据上海知识产权法院的开庭公告显示弗拉克托斯股份有限公司（以下简称：弗拉克托斯）起诉维沃移动通信有限公司（以下简称：vivo）侵害发明专利权案已于3月16日上午开庭，该案于2018年由弗拉克托斯以专利侵权为由将vivo诉至上海知识产权法院。那时的vivo正与高清编解码科技有限公司进行专利诉讼，弗拉克托斯此时发起诉讼，“趁火打劫”一点也不为过。
根据专利资料显示，弗拉克托斯股份有限公司为一家西班牙公司，旗下还有弗拉克托斯天线有限公司，两家公司的大部分专利技术都集中于通信天线技术，此外该公司最早的专利申请于1999年，目前部分专利也快过期，但后期研发实力下降，也可能正是这个原因才看准2018年vivo这个好时机，准备利用自己的专利多收点许可费。
统计弗拉克托斯公司的在国知局历来的专利无效情况，不难发现：其中与vivo案件时间点契合的专利为序号为5~9的专利，主要为通信天线技术专利，其中还包括一件关于MIMO技术的专利。但是就已经公布的无效决定来看，5件专利已有3件被全部无效，无效成功率已经很高，剩下的两件专利应为双方本次的开庭主要争议点。但是近几年来vivo的研发实力不断提升，知识产权意识及防御能力不断增强，相信在这样的诉讼中也不会太吃亏。
值得注意的是，弗拉克托斯持有通信天线技术的早期专利，研发实力已经大不如前，但是其熟悉国际知识产权的运营规则，在技术已经不能突破的状况下，已经慢慢开始转向用专利变现的道路。通信天线技术所涉及的厂商甚多，随着5G、物联网等的来临，通信天线技术市场也颇为可观，相关技术的企业应当引起注意，提前防范知识产权风险。
（文/holly），日前据夏普已向日本东京地方法院递状控告特斯拉日本公司侵犯其通信技术相关专利权。夏普主张特斯拉Model X、Model S和Model 3等3款EV所搭载的通信功能侵犯夏普的专利权，并要求这3款车型禁止进口到日本。
据台媒经济日报报道，夏普今（23）日在其官网上发布信息说明了此次诉讼。夏普提到，我们分别于2020年1月31日，2月3日和3月19日在东京地方法院进行了基于三项专利的侵权诉讼。
夏普强调，公司将知识产权视为重要的管理资源。在通信技术领域中，在全球50多个国家/地区拥有6,000多个通信标准专利。今后若确定知识产权受到侵犯，公司将继续严正回应及处理。
此外，夏普也指出，身为业界领先企业，40多年来夏普投入大量资源致力于研发尖端技术，包含液晶面板、8K显示器以及通信技术等。（校对/ Jurnan ）
3月21日消息，据外媒报道，美国西雅图市律师史蒂夫·伯曼(Steve Berman)和德里克·洛泽(Derek Loeser)周四对亚马逊提起集体诉讼，称亚马逊强加于第三方卖家身上的所谓“价格平价协议”违反了《谢尔曼反垄断法案》(Sherman Act)，限制了竞争。
价格平价协议又称“最惠国条款”，被亚马逊用于与第三方卖家签订的合同中，以确保他们在亚马逊平台上销售产品的商家，不会在eBay等其他平台上以更低的价格出售相同的产品。代理律师在诉讼中称，亚马逊迫使第三方卖家在其他网站上以与亚马逊相同的价格销售产品，这限制了购物者寻找最合适价格的选择。
提交给美国华盛顿州西区地区法院的诉状称：“亚马逊在美国零售电商市场获得了垄断权，这体现在它对互联网上绝大多数消费品的现行价格的设定能力，以及它对数百万在线零售竞争对手的控制力。通过执行这些规定，亚马逊创造了其第三方卖家在所有与亚马逊平台竞争的零售电子商务渠道中必须遵守的价格下限，从而导致美国零售电子商务市场上同类产品缺乏价格竞争。”
这起诉讼发生之际，美国司法部和联邦贸易委员会(FTC)去年对包括亚马逊在内的大型科技公司发起了反垄断调查。众议院司法委员会还要求提供有关亚马逊市场份额的信息。诉状称，亚马逊占美国零售电子商务市场的一半份额，约200万第三方卖家在亚马逊上销售约6亿件产品。第三方卖家81%至100%的收入来自亚马逊上的销售。
诉状还称，当第三方卖家想要在亚马逊上销售商品时，他们必须同意亚马逊的商业服务协议，其中包括“价格平价协议”，该条款规定了他们在其他网站上销售产品的价格。去年，在FTC发起调查后，亚马逊撤回了该条款，但继续执行“公平定价”政策，“同样严厉惩罚在亚马逊平台以外提供较低价格的卖家”。
原告代理律师表示，如果没有亚马逊的政策，第三方卖家将能够在竞争对手的网站上以比亚马逊低15%的价格提供他们的产品。从第三方零售商的角度来看，亚马逊市场是开始或扩大在线零售业务的好地方，但在亚马逊市场上结账，你很快就会发现自己的企业处于破产状态。
这起案件是代表全美范围内的亚马逊消费者阶层提起的，估计原告将有数千万人。诉状估计，亚马逊的政策已经造成了550亿至1720亿美元的实际损失。在脚注中，原告律师承认新型冠状病毒爆发可能会对案件造成干扰。（来源：网易科技）
（文/holly），据韩媒Business Korea报道，USITC（美国国际贸易委员会）于日前公开了一份文件，内容涉及该委员会最近在LG Chem提起的商业秘密侵权诉讼中，对SK Innovation做出的缺席判决。
在这份长达135页的文件中，USITC称通过调查发现SK Innovation有意通过面试和雇用LG Chem人员的方式获取LG Chem的商业机密，以便篡改证据。USITC指出，SK Innovation销毁证据不仅损害了LG Chem的诉讼程序，还妨碍了法官进行公正、高效的审判。此外，USITC强调，这一判决不仅是对SK Innovation的惩罚，也是为了防止在其他案件中可能发生的类似违规行为。
在该文件发布后，LG Chem的一名官员表示，公司将寻求SK Innovation的赔偿，但他拒绝透露细节。
据悉，LG Chem与SK Innovation之间的恩怨由来已久。去年4月，LG Chem以SK Innovation侵犯电池模块、封装制程相关的商业机密为由，向美国地方法院提起诉讼。今年2月USITC做出了对SK Innovation的违约判决，如果该决定不变，SK Innovation将被禁止向美国出口电池、模块、包装以及相关零部件和材料。（校对/Jurnan）
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